WWW.EL.Z-PDF.RU
БИБЛИОТЕКА  БЕСПЛАТНЫХ  МАТЕРИАЛОВ - Онлайн документы
 


«1 Транзистор КТ934A Транзистор КТ934A. Полярность: NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V, Макcимально ...»

Техническая спецификация закупаемых Товаров

№ п/п Наименование Товара Характеристика

1 Транзистор КТ934A Транзистор КТ934A. Полярность: NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V, Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A,, Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C, Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz, Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5, Тип корпуса КТ17.

2 Транзистор КТ934Б Транзистор КТ934Б. Полярность: NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V, Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A,, Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C, Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz, Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5, Тип корпуса КТ17.

3 Транзистор КТ970А Транзистор КТ970А. Структура транзистора: n-p-n; Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 170 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В, Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 13 А; Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса КТ-56.

4 Транзистор КТ971А Структура транзистора: n-p-n; Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А; Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц; Тип корпуса: КТ-56.

5 Транзистор КТ983А Транзистор КТ983А. Структура транзистора: n-p-n; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8,7 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1200 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм); Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А; h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 860 МГц, Тип корпуса: КТ-17

6 Транзистор BU 508 AF Транзистор BU 508 AF. npn, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В -1500, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В - 700, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) - 5, Статический коэффициент передачи тока h21э мин - 6, Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц - 4, Максимальная рассеиваемая мощность,Вт - 125, Корпус - sot199

7 Транзистор IRF 7105 Транзистор IRF 7105. MOSFET, Полярность: NP, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5, Тип корпуса: SO8

8 Транзистор IRFP 360 Транзистор IRFP 360. Тип транзистора: MOSFET, Полярность: N, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A, Максимальная температура канала (Tj): 150 °C, Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm, Тип корпуса: TO3

9 Транзистор IRFP 460 Транзистор IRFP 460. Тип транзистора: MOSFET Полярность: N, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A, Максимальная температура канала (Tj): 150 °C, Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm, Тип корпуса: TO3P

10 Транзистор КТ 819 Г Транзистор КТ 819 Г. Структура n-p-n, Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В, Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В, Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) Ма, Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(60) Вт, Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225, Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220)

11 Транзистор КТ 973 АТранзистор КТ 973 А. Структура транзистора: p-n-p; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А, Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

12 Транзистор КТ930А Транзистор КТ930А. Структура транзистора: n-p-n; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц; Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А; h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40; Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса: КТ-32.

13 Транзистор КТ930Б Транзистор КТ930Б. Структура транзистора: n-p-n; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц; Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса: КТ-32.

14 Кулер F90T12MS1Z7-64A01B3, DC12V, 0.20A Кулер F90T12MS1Z7-64A01B3, DC12V, 0.20A.

15 Микросхема 7815 Микросхема 7815. Мин. входное напряжение, В - 17, Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -15. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1.5, Корпус - TO220

16 Микросхема 7805 СТМикросхема 7805 СТ. Мин. входное напряжение, В - 7,5, Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -5. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

17 Микросхема 7812 СТМикросхема 7812 СТ. Мин. входное напряжение, В - 14,8, Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -12. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

18 Микросхема 7912 CT Микросхема 7912 CT. Мин. входное напряжение, В - (-14,8), Макс. входное напряжение, В - (- 35), Выходное напряжение, В (фикс. выход) - ( -12). Полярность включения - отрицательная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

19 Микросхема ERA-5 Микросхема ERA-5. Широкополосный кремниевый усилитель, корпус пластиковый, тип: VV105

20 Микросхема HELA 10 Микросхема HELA 10. Сверхвысокочастотный широкополосный 50 МГц - 1000 МГц усилитель средней мощности. Корпус CASE STYLE: CM624.

21 Микросхема LM 7824 Микросхема LM 7824. Линейный стабилизатор напряжения 7824,Напряжение стабилизации: 24в, Максимальный ток нагрузки: 1.5а, Максимальное входное напряжение : 40в, Корпус - TO220

22 Микросхема MAX 411 Микросхема MAX 411. Входной ток = 50 мА ; Спектральная плотность входного шумового тока = 0,01 Гц^1/2; Напряжение смещения: LF411 = 0,5 мВ (max), Температурный дрейф напряжения смещения = 10 мкВ/C ; Ток потребления по одному каналу = 1,8 мА; Произведение коэффициента усиления на полосу частот = 3 МГц (min) ; Внутренняя частотная коррекция ; Скорость нарастания выходного напряжения = 10 В/мкс ; Входное сопротивление = 10^12 Ом , Корпус SOP-8.

23 Микросхема MAX 5722 Микросхема MAX 5722. ЦАП, Корпус – uMAX8, Тmin,°C – (-40), Тмакс,°C – ( +85), Интерфейс обмена данными –Serial,SPI, Тип выхода – Voltage Разрешение, бит -12, Количество каналов -2.

24 Микросхема MMB 3771 Микросхема MMB 3771.

25 Резистор 50ом 250вт баластныйРезистор 50ом 250вт баластный. Сопротивление 50 Ом +-5%, Рабочая частота 0-1 ГГц,,Мощность 250 Вт, Корпус SMD

26 Резистор 75ом 250вт баластныйРезистор 75ом 250вт баластный. Сопротивление 75 Ом +-5%, Рабочая частота 0-1 ГГц,,Мощность 250 Вт, Корпус SMD

27 Резистор 75ом 25вт баластныйРезистор 75ом 25вт баластный. Сопротивление 50 Ом +-5%, Рабочая частота 0-1 ГГц,, Мощность 25 Вт, Корпус SMD

28 Симистор ВТА 16-600 Симистор ВТА 16-600. Максимальное обратное напряжение Uобр.,В – 600, Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В - 600, Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А – 16, Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А - 168, Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В - 1.5, Рабочая температура,С - -40…125, Корпус to220ab

29 Транзистор MRF9045 Транзистор MRF9045. Высокочастотный МОП-транзистор с высоким коэффициентом усиления.. Предназначен для широкополосных коммерческих и промышленных устройств с частотами до 1ГГц.Корпус CASE 1337-03, STYLE 1 TO-272 DUAL LEADPLASTIC MRF9045MBR1

30Транзистор BU 2508 AX Транзистор BU 2508 AX. NPN,Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V, Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C. Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7. Корпус транзистора: SOT199

Поставщик обязуется обеспечить срок поставки Товаров в течении 45 (сорока пяти) календарный дней со дня подписания Договора.

Похожие работы:

«Объявление о проведении закупок товаров розетка способом запроса ценовых предложений г. Уральск 31 августа 2016 года Наименование, почтовый адрес Заказчика и Организатора закупок: Филиал АО "Казтелерадио" Запдно-Казахстанская Областная Дирекция РадиоТелевещания, 090000, г. Уральск, ул.Железнодорожная,1, тел.: +7 (77112) 554144 (вн. 4805)...»

«  ГОСТ 13193-73Группа Н79       МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТВИНА, ВИНОМАТЕРИАЛЫ И КОНЬЯЧНЫЕ СПИРТЫ Соки плодово-ягодные спиртованные Методы определения летучих кислот  Wines, wine materials and cognac spirits. Spirit f...»

«№ п/п Тематическая категория Содержание 1 Пропаганда войны, разжигание ненависти и вражды, пропаганда порнографии и антиобщественного поведения. Информация, направленная на пропаганду войны, разжигание национальной, расовой или религиозной ненависти и вражды.Информация, пропагандирующая порн...»

«Введение Современное поколение является свидетелем стремительного развития науки и техники. За последние триста лет человечество прошло путь от простейших паровых машин до мощных атомных электростанций, овладело сверхзвуковыми скоростями полета, поставило себе на службу энергию рек,...»

«ООО Шалвино было основано в 2008 году. Основной сферой его деятельности является производство и реализация алкогольных напитков. Собственность компании, Завод "Шалвино" укомплектован новейшим...»

«2.1. Общие сведения о многоквартирном доме №84/4 по ул. Еловая. № п/п Наименование параметра Наименование атрибута1. Дата заполнения/внесения изменений 16-03-2015 Сведения о способе управления многоквартирным домом2. Документ, подтверждающий выбранный способ управления 3. Договор управления 12-11-2014 С...»

«Обобщающий урок по теме "Цвета" во 2 классе по УМК Верещагиной И.Н. Цель: повторить и закрепить название цветов Задачи: образовательный аспект: активизация лексического материала по теме "Цвета"; совершенствовать навыки устной речи; развивающий аспект: развить речевы...»

«УТВЕРЖДАЮ: [Наименование должности] [Наименование организации] /[Ф.И.О.]/ "" 20 г.ДОЛЖНОСТНАЯ ИНСТРУКЦИЯ Оператор прачечной самообслуживания 4-го разряда1. Общие положения1.1. Настоящая должностная инструкция определяет функционал...»

«МПС РФ Московский Государственный Университет Путей Сообщения (МИИТ) Кафедра "Электроника и защита информации" Курсовая работа по дисциплине: "Технические средства защиты информации" На тему: "Информация как предмет защиты" Выполнил: Ефалов П.А. студент гр. АКБ-311 ИСУТЭ Проверил: Титов Е.В. Москва-2004СОДЕРЖАНИЕ: Введ...»







 
2018 www.el.z-pdf.ru - «Библиотека бесплатных материалов - онлайн документы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 2-3 рабочих дней удалим его.