WWW.EL.Z-PDF.RU
БИБЛИОТЕКА  БЕСПЛАТНЫХ  МАТЕРИАЛОВ - Онлайн документы
 

«1 000000000000000000000000 КТ9116 А Транзисторы КТ9116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности в ...»

Техническая спецификация к закупаемым товарам

№ п/п Наименование товара Характеристика

1 000000000000000000000000

КТ9116 А Транзисторы КТ9116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 9 г.Основные технические характеристики транзистора КТ9116А:• Структура транзистора: p-n-p;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 46 Вт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 240 МГц;• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (55В);• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 55 пФ;• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 25 дБ;• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 225 МГц;• tрас - Время рассасывания: не более 25 нс

2 Транзистор КТ930А Транзисторы КТ930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 7 г.Основные технические характеристики транзистора КТ930А:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ;• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс

3 Транзистор КТ930Б Транзисторы КТ930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.

Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 7 г.Основные технические характеристики транзистора КТ930Б:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц;• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В);• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ;• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 75 Вт на частоте 400 МГц;• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 11 пс

4 Транзистор КТ9151А Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов. Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48...230 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Основные технические характеристики транзистора КТ9151А:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 280 Вт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 230 МГц;• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 33 А;• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 150 мА (55В);• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 230 МГц

5 Транзистор КТ9133А Транзистор КТ9133А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в линейных усилителях мощности в схеме ОЭ в диапазоне частот 170...230 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 9 г.Основные технические характеристики транзистора КТ9133А:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 130 Вт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 225 МГц;• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (0,01кОм);• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  16 А;• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 200 мА (55В);• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 160 пФ;• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7,5 дБ;• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 30 Вт на частоте 225 МГц;• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс

6 Транзистор MRF275G Мощный ВЧ транзистор MRF275G.Технология: MOSFET, Частота, мин.: 2 MHz, Частота, макс.: 500 MHz, Усиление: 10 dB, Выходная мощность (Pout): 150 W, Назначение: CW, КПД: 50 %, Напряжение источника питания (): 28 VDC, Температурное сопротивление: 0.44 °C/W, Наименование корпуса: P-218.

Похожие работы:

«Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический универ...»

«Пересылка данных на внешние сайты (скрипты)Уровень сложности освоения: СпециалистНезависимо от включенной или выключенной опции Разрешить API взаимодействие, предусматривающей двунаправленный обмен данными, EcommTools может дополнительно пересылать методом POST запросо...»

«Английский Язык МГГА Группа ВЭГ 97-1 Студент Учебник "Английский язык" для заочных технических вузов. 1988 г. Л.Н. Андрианова Н.Ю. Багрова Э.В. Ершова "Уроки с 1 по 10" УРОК 1 Стр. 22-23 Текст1. НА ЛЕКЦИИ ПО ГЕОМЕТРИИ Это изображение классной комнаты....»

«Извещение о проведении открытого запроса предложений в электронной форме № 81347 по отбору организации на поставку товаров по номенклатурной группе: Транспортные средства и строительно-дорожная техника 1 ло...»

«Перспективный план по самообразованию старшая – подготовительная группа 2016 – 2017 уч. Год Воспитателя МБДОУ "Детский сад "Лесная сказка": Галковой Л. В. Тема: "Развитие конструктивной деятельности и технического творчес...»

«ГОСТ 33116-2014 Установки электрогенераторные с бензиновыми двигателями внутреннего сгорания. Общие технические условия ГОСТ 33116-2014           МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТУСТАНОВКИ ЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОРНЫЕ С БЕНЗИНОВЫМИ ДВИГАТЕЛЯМИ ВНУТРЕННЕГО СГОР...»

«HYPERLINK http://nedrark.karelia.ru/uchastki_nedr.php \l nav ПТЗ01491ТР АйттовуориЛахденпохский р-онКоординатыдиорит на строительный камень геологическое изучение, добыча Медвежья Гора ПТЗ01257ТРАккахарью-КостамоярвиЛахденпохский р-онКоордин...»









 
2018 www.el.z-pdf.ru - «Библиотека бесплатных материалов - онлайн документы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 2-3 рабочих дней удалим его.